Strukturell designoptimering: De tre grundläggande principerna för halvledarlasrar är: elektrisk injektion och inneslutning, elektrisk-optisk omvandling, optisk inneslutning och utgång, vilket motsvarar elektrisk injektionsdesign, kvantbrunnsdesign respektive optisk fältdesign av vågledarstrukturen. Att optimera strukturen för kvantbrunnar, kvanttrådar, kvantpunkter och fotonkristaller har främjat den kontinuerliga förbättringen av laserteknologin, vilket gör uteffekten och den elektrooptiska konverteringseffektiviteten för lasrar högre och högre, strålkvaliteten blir bättre och bättre och högre. tillförlitlighet . Högkvalitativ epitaxiell materialtillväxtteknologi: Halvledarlaser epitaxiell materialtillväxtteknologi är kärnan i utvecklingen av halvledarlaser. Den optimerar huvudsakligen dopningskurvan för att minska överlappningen mellan det optiska fältet och det kraftigt dopade området, och därigenom minska absorptionsförlusterna för fri bärare och förbättra enhetens omvandlingseffektivitet. Ytbehandlingsteknik för kavitet: Genom olika passivering av kavitetsytor och beläggningsteknik, reducera eller eliminera kavitetsytdefekter och oxidation, minska kavitetsytans ljusabsorption, öka kavitetsytans COMD-värde och uppnå hög toppeffekt. Integrerad förpackningsteknik: Forskningen om nyckelteknologin för högeffekts halvledarlaserförpackningar är att utgå från aspekterna värme, förpackningsmaterial och stress, för att lösa förpackningsdesignen för termisk hantering och termisk stress, och att uppnå ett tekniskt genombrott i utvecklingen av direkta halvledarlasrar till hög effekt, hög ljusstyrka och hög tillförlitlighet.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies.
Privacy Policy
